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85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望

發(fā)布時(shí)間 :2024-07-12 17:05:36


在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時(shí)代,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為信息技術(shù)的核心,正經(jīng)歷著前所未有的變革與挑戰(zhàn)。


2024年的中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng),不僅在技術(shù)層面取得了顯著進(jìn)步,更在資本市場(chǎng)上展現(xiàn)出了巨大的活力與潛力。


分享云岫資本發(fā)布的《2024中國(guó)半導(dǎo)體投資深度分析與展望》,報(bào)告涵蓋了半導(dǎo)體行業(yè)的市值走勢(shì)、投融資情況、AI大模型發(fā)展等多個(gè)維度,同時(shí)還特別關(guān)注了在政策、技術(shù)、市場(chǎng)等多重因素影響下,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和投資熱點(diǎn)。



#01#

報(bào)告摘要


1. 投融資情況


2023年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一級(jí)市場(chǎng)完成約650起投融資交易,融資規(guī)模約546億元人民幣。但2024年Q1融資數(shù)量及金額同環(huán)比均下降,顯示出投資收緊的趨勢(shì)。


2. AI大模型發(fā)展的影響


2023年被視為AI大模型元年,大模型的預(yù)訓(xùn)練和生成能力顯著提升,帶動(dòng)了硬件基礎(chǔ)設(shè)施和先進(jìn)封裝的高速發(fā)展。


3. 出口管制影響


報(bào)告討論了日本、荷蘭和美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備實(shí)施的出口管制,以及對(duì)中國(guó)購(gòu)買(mǎi)和制造高端芯片能力的限制。


4. 投資熱點(diǎn)


AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施、先進(jìn)封裝、高端制造國(guó)產(chǎn)替代成為半導(dǎo)體投資的熱點(diǎn)領(lǐng)域。


5. AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施


算力:


AI大模型的高速發(fā)展推動(dòng)了對(duì)算力需求的持續(xù)增長(zhǎng),同時(shí)指出了不同AI模型的算力當(dāng)量。


在AI服務(wù)器中,CPU的價(jià)值量占比預(yù)計(jì)將提升,特別是隨著GB200方案的推出。


預(yù)計(jì)到2030年,RISC-V在主流應(yīng)用中的占比可能達(dá)到30%。


英偉達(dá)在GPU市場(chǎng)中占據(jù)主導(dǎo)地位,特別是在AI服務(wù)器市場(chǎng)中。


在政策制裁下,國(guó)內(nèi)對(duì)英偉達(dá)高性能GPU芯片的替代需求日益增長(zhǎng)。


隨著"云-邊-端"協(xié)同的混合式AI時(shí)代的到來(lái),對(duì)AI芯片的單位算力、功耗和成本提出了更高要求。


AI時(shí)代對(duì)高能效、低成本的存算一體技術(shù)的需求日益增長(zhǎng)。


存儲(chǔ):


行業(yè)復(fù)蘇和AI需求提振下,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入上漲周期。


當(dāng)前GPU性能瓶頸主要集中在存儲(chǔ)系統(tǒng),需要提高存儲(chǔ)容量和帶寬。


HBM技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸,市場(chǎng)需求強(qiáng)勁。


3D Flash為國(guó)產(chǎn)廠商提供了加速崛起的機(jī)遇。


包括PRAM、MRAM、RRAM和FRAM,這些技術(shù)旨在滿(mǎn)足AI/大算力下的低功耗和高能效比需求。


運(yùn)力:


分布式AI集群系統(tǒng)面臨網(wǎng)絡(luò)通信約束,需要更高性能的網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)芯片。


數(shù)據(jù)中心IT設(shè)備投入中,交換機(jī)占據(jù)重要地位,市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)。


國(guó)內(nèi)交換機(jī)市場(chǎng)已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代,但交換芯片仍由海外廠商主導(dǎo)。


全球光模塊市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將超過(guò)170億美元,國(guó)內(nèi)光模塊廠商占據(jù)重要地位。


800G光模塊逐漸放量,AI大模型的普及將為光模塊需求帶來(lái)增量。


高速光模塊光芯片保持高增長(zhǎng),AI高算力需求推動(dòng)高速光芯片和電芯片快速發(fā)展。


能源:


隨著算力芯片功耗的提升,對(duì)功率半導(dǎo)體的性能提出了更高要求。


SiC、GaN這些第三代半導(dǎo)體材料因其優(yōu)異的性能,在多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用潛力。


6. 先進(jìn)封裝技術(shù)


封裝技術(shù)正朝著小型化、高密度引腳、高效散熱方向發(fā)展。


預(yù)計(jì)市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng),受益于高性能算力芯片的需求。


7. 高端制造


國(guó)內(nèi)晶圓廠建設(shè)熱度高漲,12英寸晶圓廠將成為市場(chǎng)主流。


國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商在多個(gè)核心工藝環(huán)節(jié)取得進(jìn)步,但部分領(lǐng)域與海外廠商仍有差距。



#02#

報(bào)告節(jié)選


以下是部分報(bào)告原文節(jié)選, 點(diǎn)擊報(bào)告封面 可以查看報(bào)告全文~


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖1)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖2)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖3)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖4)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖5)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖6)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖7)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖8)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖9)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖10)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖11)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖12)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖13)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖14)


85頁(yè)深度報(bào)告,2024中國(guó)半導(dǎo)體投資分析與展望(圖15)




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